岡崎晶圓加熱器薄膜沉積CVD設備用加熱系統(tǒng)由上海利布迪公司提供

利布迪公司為半導體行業(yè)的各種晶圓加工應用提供糕端加熱解決方案，包括薄膜沉積系統(tǒng)（例如 CVD、PVD、ALD）。我們與國外合作，提供礦物絕緣晶圓加熱器（也稱為基板加熱器或壓板加熱器），適用于關鍵條件，其規(guī)格可滿足這些工藝的特殊和多樣化需求。玩全定制的基板加熱器通常是最佳解決方案，但我們也提供一系列標準盤式加熱器。無論客戶選擇什么，我們的產(chǎn)品和建議都可以依靠，通過確保最佳的溫度均勻性來提高整體工藝穩(wěn)定性。

岡崎晶圓加熱器的用途是什么？

晶圓加熱器主要用于薄膜沉積系統(tǒng)，特別是在半導體行業(yè)，但也用于太陽能電池板、納米技術、薄膜沉積系統(tǒng)以及光刻、退火和光學器件行業(yè)。在這些真空工藝中，超?。ㄓ袝r只有幾個原子厚）涂層在真空中涂覆在表面上。有多種技術可供選擇，所有這些技術都需要不同的基材加熱元件，其特性和設計都與工作溫度和沉積材料類型相匹配。我們的對夾式加熱器用于以下工藝：

· ALD（原子層沉積）200°C 至 400°C

· CVD（化學氣相沉積）高于900°C

· PVD（物理氣相沉積）200°C 至 400°C

· PLD（脈沖激光沉積）500°C

· PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）200°C 至 400°C

· 濺射（通過用高能顆粒轟擊基板進行鍍膜）350°C

晶圓加熱器可以直接影響沉積薄膜的性能，包括對附著力和化學反應的影響。它們對于確保加熱均勻性以均勻沉積薄膜至關重要。

對夾式加熱器的類型

（礦物絕緣）晶圓加熱器的選擇取決于所需的應用。由于薄膜沉積工藝的高度專業(yè)化和關鍵性，我們的加熱解決方案經(jīng)常進行定制，以考慮所有工藝參數(shù)和所需的最終結果。我們的重點是以下類別的加熱器：

· 一系列標準盤式加熱器

o 直徑從5厘米到16厘米不等

o 提供通用支架，允許客戶將圓盤擰入或焊接到其特定夾具中

· 定制基板/壓板加熱器

o 與客戶共同設計，在尺寸、形狀、護套材料等因素方面玩全適合應用環(huán)境

無論您在利布迪公司選擇哪種加熱器，我們產(chǎn)品的高質(zhì)量和顧問的專業(yè)知識都意味著可以確保熱均勻性，這對薄膜沉積系統(tǒng)至關重要。

規(guī)格和物理性能

為了確保晶圓加熱器能夠玩美地適應每種應用，利布迪和/或美國專家將考慮許多變量和規(guī)格：

· 不同類型的基板加熱元件具有各種（可定制的）形狀、尺寸和長度。

· 電氣連接是密封的。密封件的選擇取決于真空度和化學品/污染物的存在。

· 生產(chǎn)后使用氦氣泄漏檢查確保真空完整性

· 真空法蘭（“O”形圈）可用于連接真空外部的電源和傳感器電纜。在這方面，我們的金屬-陶瓷加熱連接器也是值得考慮的有用配件。

· 熱和冷熱部分可定制。

· 可以提供焊接的外護套，以最大限度地減少危險環(huán)境中的污染。例如，不銹鋼或Inconel 600。

· 可以包括內(nèi)部熱電偶，以精確監(jiān)測產(chǎn)生的熱量。

所有這些可能性意味著我們可以提供耐氧化、惰性、還原和（高）真空環(huán)境的晶圓加熱器。我們的礦物絕緣晶圓加熱器具有非常寬的溫度范圍，使其適用于所有沉積工藝，甚至高達1000°C。 此外，由于采用了護套，對夾加熱器具有出色的機械強度，響應速度快。加熱器遵守嚴格的質(zhì)量測試要求。

利布迪的質(zhì)量和服務

利布迪的晶圓加熱器系列由美國生產(chǎn)。他們在供熱領域擁有數(shù)十年的經(jīng)驗，是我們最長期的合作伙伴之一。利布迪與美國ARi建立了合作伙伴關系，確保為設計定制加熱解決方案或調(diào)整電流范圍以滿足特定應用的需求提供全面的技術支持。

事實上，利布迪為嶺先的半導體設備公司供貨的原因之一是因為我們積極支持開發(fā)新的和定制的加熱產(chǎn)品。具體到基板加熱器，溫度均勻性至關重要，美國工廠的研究是持續(xù)的，熱均勻性解決方案（例如多區(qū)域或定制基板散熱器）不斷改進。

如果您有需要可以打電話咨詢我們，我們給您提供詳細的產(chǎn)品介紹以及報價，價格受多種因素影響，下單前一定要詢價哦，歡迎您的來電！